IRF1310NSTRLPBF vs IPB019N08N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF1310NSTRLPBF от Infineon и IPB019N08N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
IPB019N08N3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IRF1310NSTRLPBF | IPB019N08N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,84 | $2,74 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Корпус | D2PAK (TO-263AB) | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V |
| Drive Voltage (Rds On Max) | — | 6 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | — | 206 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14.2 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 3.84 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 3.84 nF |
| Статус RoHS | — | Compliant |