IRF1310NSTRLPBF vs IRF3205STRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1310NSTRLPBF von Infineon und IRF3205STRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1310NSTRLPBF IRF3205STRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $1,02
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC 97.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
Gehäuse D2PAK (TO-263AB) TO-263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (advanced process)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 390 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

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