IRF1310NSTRLPBF vs IRF3205STRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NSTRLPBF par Infineon et IRF3205STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1310NSTRLPBF IRF3205STRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $1,02
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC 97.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (Tj)
Boîtier D2PAK (TO-263AB) TO-263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (advanced process)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 390 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

Fiches techniques et ressources

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