IRF4905LPBF vs IPB110P06LMATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF4905LPBF von Infineon und IPB110P06LMATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF4905LPBF IPB110P06LMATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $1,31
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
Gehäuse TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin —
Technology HEXFET (IR MOSFET) OptiMOS (trench MOSFET)
Montageart Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (TJ)
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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