IRF4905STRRPBF vs IRF4905STRLPBF Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IRF4905STRRPBF von Infineon und IRF4905STRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IRF4905STRRPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,94 | $0,95 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| Betriebs-Sperrschichttemperatur | -55 C to +175 C | — |
| Gehäuse | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (Planar) |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +175C |
| MSL-Level | — | 1 |