IRF4905STRRPBF vs IRF4905STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF4905STRRPBF メーカー: Infineon および IRF4905STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF4905STRRPBF IRF4905STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -74 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 20 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 170 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ D2PAK (TO-263-3) D2PAK (TO-263)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Planar)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
動作温度範囲 — -55C to +175C
MSLレベル — 1

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