IRF7205TRPBF vs BSL207SPH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7205TRPBF von Infineon und BSL207SPH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7205TRPBF BSL207SPH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,18 $0,33
FET Type P-Channel MOSFET P-Channel
Technology IR HEXFET (4th generation) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Verlustleistung (TC=25°C) 2.5 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C —
Gehäuse SO-8 (8-SO) TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 2 W (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS-Status — Compliant
Pin-Anzahl — 6

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