IRF7205TRPBF vs BSL207SPH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7205TRPBF por Infineon e BSL207SPH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7205TRPBF BSL207SPH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,33
FET Type P-Channel MOSFET P-Channel
Technology IR HEXFET (4th generation) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Dissipação de potência (TC=25°C) 2.5 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento SO-8 (8-SO) TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 2 W (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Temperatura de operação — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
Status RoHS — Compliant
Contagem de pinos — 6

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação