IRF7832TRPBF vs BSC094N06LS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7832TRPBF von Infineon und BSC094N06LS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7832TRPBF BSC094N06LS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7832TRPBF BSC094N06LS5ATMA1
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) OptiMOS™ 5 (logic-level)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (TJ) —
Gehäuse 8-SO (SOIC-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C

Datenblätter & Ressourcen

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