IRF7832TRPBF vs IRF8736TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7832TRPBF von Infineon und IRF8736TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7832TRPBF IRF8736TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (TJ) -55C to +150C (junction)
Gehäuse 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern