IRF7832TRPBF vs IRF8736TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7832TRPBF por Infineon e IRF8736TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7832TRPBF IRF8736TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (TJ) -55C to +150C (junction)
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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