IRF8736TRPBF vs IRLML0040TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF8736TRPBF von Infineon und IRLML0040TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF8736TRPBF IRLML0040TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,27 $0,16
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET IR MOSFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A 3.6 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse SO-8 (8-SO, MS-012AA) Micro3 (SOT-23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 14 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 56 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Total Gate Charge (Qg) — 2.6 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Qualification Level — Consumer (per JEDEC JSD47F)
Moisture Sensitivity Level — MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D)
RoHS Compliance — Compliant (no lead, no bromide, no halogen)

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