IRFR3411TRPBF vs IRFR220NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3411TRPBF von Infineon und IRFR220NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3411TRPBF IRFR220NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,22
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC (typical per Mouser listing)
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
MSL-Level — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status — Compliant (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

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