IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3710ZTRPBF von Infineon und IRFR540ZTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,32
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 35 A (at Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) Max — 28.5 mOhm at Vgs=10V
Gate-Source Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (Pd) — 91 W (at Tc)
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (junction)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL-Level — 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

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