IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3710ZTRPBF por Infineon e IRFR540ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,32
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 35 A (at Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) Max — 28.5 mOhm at Vgs=10V
Gate-Source Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (Pd) — 91 W (at Tc)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Nível MSL — 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Fichas técnicas e recursos

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