IRFR4615TRLPBF vs IRFR3411TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR4615TRLPBF von Infineon und IRFR3411TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR4615TRLPBF IRFR3411TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,55
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 C to +175 C
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) Yes (Lead-free, PBF suffix)
Einzelpuls-Avalanche-Energie 109 mJ —
Polarity — N-Channel
FET Type — MOSFET (Metal Oxide)
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Anzahl der Pins — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern