IRFR5305TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR5305TRLPBF von Infineon und IRFR9120NTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR5305TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,61
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] -2 V to -4 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET IR MOSFET (planar)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant (Pb-free)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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