IRFR5305TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5305TRLPBF por Infineon e IRFR9120NTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5305TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,61
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] -2 V to -4 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET IR MOSFET (planar)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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