IRFR9120NTRPBF vs IRFR9120NTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR9120NTRPBF von Infineon und IRFR9120NTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,61
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] -2 V to -4 V
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited floor life) 1
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET IR MOSFET (planar)
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

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