IRFR9120NTRPBF vs IRFR9120NTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR9120NTRPBF メーカー: Infineon および IRFR9120NTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.61
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] -2 V to -4 V
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
動作接合温度範囲 -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited floor life) 1
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET IR MOSFET (planar)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free)
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
動作温度範囲 — -55C to +150C (Tj)
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼