IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFZ48NSTRLPBF von Infineon und IRLR3636TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFZ48NSTRLPBF IRLR3636TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,74
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM rating]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS-Status Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

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