IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NSTRLPBF par Infineon et IRLR3636TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFZ48NSTRLPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel Power MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | 14 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 130 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | 3.8 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) | — |
| Lead Finish | Lead-free (PBF) matte tin | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Technology Family | HEXFET advanced process technology | — |
| Technology | — | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon datasheet family) |