IRLB4030PBF vs IRFZ48NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLB4030PBF von Infineon und IRFZ48NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLB4030PBF IRFZ48NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $1,18
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse TO-220AB D2PAK (TO-263) Surface Mount
Montageart Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET family) —
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
RoHS-Status Compliant Compliant
FET Type — N-Channel Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

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