IRLB4030PBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLB4030PBF por Infineon e IRFZ48NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLB4030PBF IRFZ48NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $1,18
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB D2PAK (TO-263) Surface Mount
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET family) —
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Fichas técnicas e recursos

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