IRLB4030PBF vs IRLR2908TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLB4030PBF von Infineon und IRLR2908TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLB4030PBF IRLR2908TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $0,55
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse TO-220AB TO-252AA (DPAK), surface mount
Montageart Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET family) HEXFET (IR MOSFET)
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
RoHS-Status Compliant —
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V — 28 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V — 22.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 120 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) range]
Configuration — Single with built-in diode
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

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