IRLB4030PBF vs IRLR2908TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLB4030PBF por Infineon e IRLR2908TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLB4030PBF IRLR2908TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $0,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET family) HEXFET (IR MOSFET)
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V — 28 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V — 22.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 120 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) range]
Configuration — Single with built-in diode
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Fichas técnicas e recursos

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