IRLHS6242TRPBF vs IRLML6246TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLHS6242TRPBF von Infineon und IRLML6246TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLHS6242TRPBF IRLML6246TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,11
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ 46 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
Gehäuse 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad SOT-23 (Micro3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable —
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Halogenfrei — Yes
MSL-Level — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Datenblätter & Ressourcen

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