IRLML2030TRPBF vs IRLML6246TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLML2030TRPBF von Infineon und IRLML6246TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLML2030TRPBF IRLML6246TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLML2030TRPBF IRLML6246TRPBF
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm 46 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Gehäuse Micro3 (SOT-23) SOT-23 (Micro3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
MSL-Level MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) Yes (Pb-free)
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Halogenfrei — Yes

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