IRLML2030TRPBF vs IRLML6246TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML2030TRPBF por Infineon e IRLML6246TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML2030TRPBF IRLML6246TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,14 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLML2030TRPBF IRLML6246TRPBF
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm 46 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Encapsulamento Micro3 (SOT-23) SOT-23 (Micro3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Nível MSL MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) Yes (Pb-free)
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação