IRS2104STRPBF vs IR2104SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2104STRPBF von Infineon und IR2104SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2104STRPBF IR2104SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,45 $0,41
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topologie Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40C to +150C —
Gehäuse 8-Lead SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount —
MSL-Level 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
RoHS-Status Compliant (PbF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Funktion — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Anstiegszeit — 160 ns typical
Abfallzeit — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C

Datenblätter & Ressourcen

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