IRS2104STRPBF vs IR2104SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2104STRPBF 제조: Infineon 및 IR2104SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2104STRPBF IR2104SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.45 $0.41
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
토폴로지 Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
동작 접합 온도 -40C to +150C —
패키지 8-Lead SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
실장 유형 Surface Mount —
MSL 레벨 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
RoHS 상태 Compliant (PbF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
기능 — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
상승 시간 — 160 ns typical
하강 시간 — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
동작 온도 범위 — -40 C to +125 C

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