IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2453DSTRPBF von Infineon und IRS2153DSTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2453DSTRPBF IRS2153DSTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,42
Funktion Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator —
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end RC-based, similar to CMOS 555 timer
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gehäuse 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (Pb-free per suffix "PBF") Compliant
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Topologie — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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