IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2453DSTRPBF por Infineon y IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2453DSTRPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,42
Función Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator —
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end RC-based, similar to CMOS 555 timer
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Encapsulado 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (Pb-free per suffix "PBF") Compliant
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Topología — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

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