IS43TR16256AL-107MBLI vs MT41K256M16TW-107 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-107MBLI von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-107MBLI MT41K256M16TW-107
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,00 $14,10
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4 Gbit 4 Gbit
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
Datenrate 1866 Mbps —
Access Time 20 ns 20 ns
Versorgungsspannung 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.35 V
Gehäuse / Bauform 96-TWBGA (9x13mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (commercial :P grade)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Interface Parallel —
Schnittstelle — Parallel
Clock Frequency — 933 MHz (DDR3L-1866)
Datenbusbreite — 16 bit
Gehäuse — 96-FBGA (8x14 mm)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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