IS43TR16256AL-107MBLI vs MT41K256M16TW-107 비교

다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-107MBLI 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 MT41K256M16TW-107 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IS43TR16256AL-107MBLI MT41K256M16TW-107
브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.00 $14.10
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4 Gbit 4 Gbit
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
데이터 속도 1866 Mbps —
Access Time 20 ns 20 ns
공급 전압 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.35 V
패키지 / 케이스 96-TWBGA (9x13mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (commercial :P grade)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Interface Parallel —
인터페이스 — Parallel
Clock Frequency — 933 MHz (DDR3L-1866)
데이터 버스 폭 — 16 bit
패키지 — 96-FBGA (8x14 mm)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]

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