ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon und BSC005N03LS5IATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC015N06NM5ATMA1 BSC005N03LS5IATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Gehäuse PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
RoHS-Status Compliant Compliant (per LCSC listing)
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Number — BSC005N03LS5IATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 433 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max — 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ) at VGS = 10 mA
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 188 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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