ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e BSC005N03LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N06NM5ATMA1 BSC005N03LS5IATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Status RoHS Compliant Compliant (per LCSC listing)
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Number — BSC005N03LS5IATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 433 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max — 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ) at VGS = 10 mA
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 188 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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