ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC015N06NM5LF2ATMA1 von Infineon und IQE220N15NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC015N06NM5LF2ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,21 $0,84
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 100 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V 4.6 V (typ at 46 µA)
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF 14 pF
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF 340 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC 14.4 nC at 10 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Ausgangskonfiguration — Single N-Channel
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1

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