ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5LF2ATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC015N06NM5LF2ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $0,84
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 100 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V 4.6 V (typ at 46 µA)
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF 14 pF
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF 340 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC 14.4 nC at 10 V
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Configuration de sortie — Single N-Channel
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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