ISC019N08NM7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC019N08NM7ATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC019N08NM7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 7) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Drain Current (ID), TC=25°C 209 A —
Drain Current (ID), TA=25°C 26 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Power Dissipation (PD), TC=25°C 188 W —
Power Dissipation (PD), TA=25°C 3 W (6 cm² FR4) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-43 (SuperSO8) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montageart Surface Mount Surface Mount
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge QG [DATA_NEEDED: QG] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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