ISC019N08NM7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC019N08NM7ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC019N08NM7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 7) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Drain Current (ID), TC=25°C 209 A —
Drain Current (ID), TA=25°C 26 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Power Dissipation (PD), TC=25°C 188 W —
Power Dissipation (PD), TA=25°C 3 W (6 cm² FR4) —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 (SuperSO8) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Livre de halogênio Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge QG [DATA_NEEDED: QG] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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