ISC045N03L5SATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC045N03L5SATMA1 von Infineon und BSZ0901NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC045N03L5SATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
RoHS-Status Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Pin-Anzahl — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

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