ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC058N04NM5ATMA1 von Infineon und BSC040N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC058N04NM5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,60 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern