ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC058N04NM5ATMA1 von Infineon und BSC054N04NSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC058N04NM5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,60 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +150C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status — Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern