ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC058N04NM5ATMA1 por Infineon e BSC054N04NSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC058N04NM5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,60 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +150C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS — Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

Fichas técnicas e recursos

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