ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC060N10NM6ATMA1 von Infineon und ISC011N06LM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC060N10NM6ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,43 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A 288 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W 188 W
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) OptiMOS 5
Polarity N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Pin-Anzahl — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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