ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC060N10NM6ATMA1 par Infineon et ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC060N10NM6ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,43 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A 288 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W 188 W
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) OptiMOS 5
Polarity N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Nombre de broches — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fiches techniques et ressources

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