ISC151N08NM6ATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon und BSC12DN20NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | ISC151N08NM6ATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,78 | $0,61 |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS power MOSFET |
| Gehäuse | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-5 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Betriebstemperatur | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| MSL-Level | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Pin-Anzahl | — | 8 |