ISC151N08NM6ATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon y BSC12DN20NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC151N08NM6ATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,61
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 200 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS power MOSFET
Encapsulado PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-5
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 8 —
Channel Mode Enhancement —
Temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 200V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single N-channel
Recuento de pines — 8

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