ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUT165N08S5N029ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon und IAUT165N08S5N029ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC151N08NM6ATMA1 IAUT165N08S5N029ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $2,30
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 8 —
Channel Mode Enhancement —
Betriebstemperatur -55 °C to +175 °C —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Family — OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 165 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — 660 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) — 2.9 mΩ (typical)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 167 W
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — 225 mJ
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>)
Gehäuse / Bauform — PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount)
MSL Rating — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

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